GaN усилители мощности (MMIC)
Описание продукции
GaN усилители мощности на основе монолитных СВЧ интегральных схем и широкополосные усилители являются важным звеном в аппаратуре систем радиолокации, поэтому к ним предъявляются особо высокие требования. СВЧ усилители, сконструированные на основе мощных транзисторов или модулей определяют важнейшие параметры и характеристики системы (излучаемая и потребляемая мощность, рабочая частота, масса-габаритные показатели, надежность, долговечность и стоимость.
Одним из наиболее перспективным направлением в развитии мощных СВЧ-компонентов стало направление широкозонных полупроводниковых материалов (SiC и GaN) и приборов на их основе. Сегодня ведущие компании мира по производству компонентов, применяемых в твердотельных усилителях мощности, развивают прежде всего технологии на основе нитрида галлия GaN. Не осталась в стороне и Китайская компания-лидер в этой области - METDA Corporation.
- СКАЧАТЬ отчет об устойчивости GaN монолитных СВЧ ИС к стресс-факторам
- Габаритные чертежи корпусов METDA
- Вы можете скачать даташит нажав на интересующий номер детали
- Возможна поставка корпусированных версий GaN-чипов
0.9 - 2 GHz | 43 dBm (Psat) | 25 dB (power gain) | |
2.5 - 4 GHz | 45 dBm (Psat) | 18 dB (power gain) | |
2 - 6 GHz | 45 dBm (Psat) | 25 dB (power gain) | |
3.1 - 3.5 GHz | 48 dBm (Psat) | 24 dB (power gain) | |
6 – 18 GHz | 40 dBm (Psat) | 16 dB (power gain) | |
14.5 - 16.5 GHz | 45 dBm (Psat) | 17 dB (power gain) | |
8 - 12 GHz | 47 dBm (Psat) | 23.25 dB (power gain) | |
11 - 14 GHz | 45 dBm (Psat) | 20 dB (power gain) | |
13 - 15 GHz | 45 dBm (Psat) | 20 dB (power gain) | |
15 - 17.5 GHz | 43 dBm (Psat) | 20 dB (power gain) | |
15 - 17.5 GHz | 42 dBm (Psat) | 20 dB (power gain) | |
15 - 18 GHz | 45 dBm (Psat) | 20 dB (power gain) | |
33 - 37 GHz | 38 dBm (Psat) | 15 dB (power gain) | |
34 - 36 GHz | 41.5 dBm (Psat) | 15.5 dB (power gain) | |
90 - 96 GHz | 27 dBm (Psat) | 9 dB (power gain) |