Пластины GaN и AlN

Описание продукции

Мы предлагаем своим клиентам широкий выбор пластин из нитрида галлия (GaN) и нитрида алюминия на сапфировых подложках.

Полупроводниковые пластины GaN с эпитаксиальным слоем состоят из: слоя галлия на субстрате 6H-SiC, 50 мм диаметр, N-тип, толщина GaN слоя ~ 0.5 мкм, GaN слоя на сапфире, 50мм диаметр, N-тип, толщина GaN слоя 0.5 - 10 мкм.

Полупроводниковые пластины GaN/AIN/SiC состоят из: GaN слой на AIN-слое на 6H-SiC. 50 мм диаметр, N-тип, толщина GaN ~0.5-0.8 мкм. AIN толщина = ~0.1um.

Полупроводниковые пластины GaN/AIN/AI2O3 состоят из GaN слоя на AIN слое на сапфире. 50 мм диаметр, N-тип, толщина GaN ~0.5-0.8 мкм. AIN толщина = ~0.1um.