Пластины на основе арсенида галлия GaAs

Описание продукции

Пластины из арсенида галлия (GaAs - Gallium Arsenide) во многих параметрах превосходят кремниевые подложки, тем самым они имеют ряд конкурентных преимуществ, однако имеют более высокую стоимость.

Основные применения пластин из арсенида галлия:

• РЧ и СВЧ микросхемы
• Монолитные интегральные схемы (МИС, MMIC)
• Лазерные диоды
• Солнечные ячейки
• Оптические окна прозрачности

Мы поставляем GaAs пластины полученные с помощью метода вертикальной направленной кристаллизации (VGF). Преимуществами такого метода являются варьируемость размеров, низкий стресс, высокая механическая прочность и низкий процент отбраковки. По сравнению с кремнием, арсенид галлия обладает значительно большей подвижностью и электронов. Высокая подвижность электронов позволяет транзисторам на базе GaAs функционировать на частотах до 250GHz. GaAs устройства реже перегреваются благодаря такому показателю, как ширина запрещенной энергетической зоны. GaAs также создает меньше помех в интегральных схемах, особенно на высоких и свер-высоких частотах. 

Превосходные качества материала арсенид галлия являются безусловным преимуществам в таких отраслях производства как спутниковая связь, СВЧ point-to-point и высокочастотное радаростроение и радиолокация.

Компания АКТИВ-СЭПЛАЙ поставляет пластины из арсенида галлия от ведущих мировых производителей в короткие сроки и по доступным ценам.